重磅 | 英飞凌分别天岳先进、天科合达签订供应协议​

5月3日，据英飞凌官网消息，公司分别与山东天岳先进科技股份有限公司（以下简称“天岳先进”）以及北京天科合达半导体股份有限公司（以下简称“天科合达”）签订供应协议。

◎ 英飞凌与天岳先进签订全新衬底和晶棒供应协议

今日，据山东天岳先进科技股份有限公司官微消息，天岳先进与英飞凌签订了一项新的衬底和晶棒供应协议。

根据该协议，天岳先进将为英飞凌供应用于制造碳化硅半导体的高质量并且有竞争力的150毫米碳化硅衬底和晶棒，第一阶段将侧重于150毫米碳化硅材料，但天岳先进也将助力英飞凌向200毫米直径碳化硅晶圆过渡。

英飞凌表示，该协议的供应量预计将占到英飞凌长期需求量的两位数份额，这不仅有助于保证英飞凌供应链的稳定，让其碳化硅材料供应商体系多元化，还能够确保英飞凌获得更多具有竞争力的碳化硅材料供应。尤其是满足中国市场在汽车、太阳能、充电桩及储能系统等领域对碳化硅半导体产品不断增长的需求，并将推动新兴半导体材料碳化硅的快速发展。

伴随着天岳先进的加入，特别是上海工厂启动产品交付后，将有助于双方在碳化硅功率半导体领域继续加快发展进程，共同推动碳化硅半导体产业的长远发展。

◎ 英飞凌与天科合达签署晶锭与衬底的供应合同

同日消息，英飞凌科正推动其碳化硅（SiC）供应商体系多元化，与中国碳化硅供应商北京天科合达半导体股份有限公司签订了一份长期协议，以确保获得更多而且具有竞争力的碳化硅材料供应。

据悉，天科合达将为英飞凌供应用于制造碳化硅半导体产品的高质量并且有竞争力的150毫米碳化硅晶圆和晶锭，其供应量预计将占到英飞凌长期需求量的两位数份额。

英飞凌和天科合达之间的协议有助于整体供应链的稳定，也有助于满足中国市场对汽车、太阳能和电动汽车充电应用以及储能系统用SiC半导体产品日益增长的需求。它还将支持新兴半导体材料SiC的快速增长。

该协议将在第一阶段专注于6英寸SiC材料，但天科也将在未来一段时间内向英飞凌提供8英寸衬底材料，以支持英飞凌芯片制造产线向8英寸晶圆过渡。

天岳先进董事长兼总经理宗艳民表示：“天岳先进的衬底产品广泛应用于碳化硅功率半导体领域。我们十分高兴能与全球功率半导体领域的领导者，我们的优秀战略客户英飞凌展开合作，我们将予以高度的重视，同时，我们也期待与英飞凌携手，共同促进碳化硅产业、全球数字化、低碳化进程以及可持续发展，天岳先进也将持续扩大产能，为全球客户提供更多价值。”

天科合达总经理杨建表示：“我们很高兴全球功率半导体市场的领导者—英飞凌成为了我们的客户，期待与英飞凌的携手合作。天科合达将不断改进碳化硅材料并开发新一代8英寸晶圆技术，英飞凌是我们在该领域的优秀客户。”

英飞凌科技首席采购官Angelique van der Burg女士表示：“为了满足不断增长的碳化硅需求，英飞凌正在大幅提升其马来西亚和奥地利生产基地的产能。基于广大客户的利益，我们正在落实一项多供应商和多国采购战略以增加供应链弹性， 并且正在全球范围内增加新的具有竞争力且符合市场最高标准的优质货源。”

据悉，英飞凌正着力提升碳化硅产能，以实现在2030年之前占据全球30%市场份额的目标。预计到2027年，英飞凌的碳化硅产能将增长10倍。英飞凌位于马来西亚居林的新工厂计划于2024年投产，届时将补充奥地利菲拉赫工厂的产能。迄今为止，英飞凌已向全球3,600多家汽车和工业客户提供碳化硅半导体产品。

参考来源：英飞凌官网、天岳先进官微

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